Описание
Диоды 2А508А-1 кремниевые, на основе ионной технологии, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n.
Предназначены для применения в переключающих устройствах модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового и дециметрового диапазонов длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами без кристаллодержателя.
Тип диода приводится на полиэтиленцеллофановой ленте.
Параметры и характеристики
Масса диода не более 0,05 г.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А508А-1, ТР3.360.077 ТУ;
диод СВЧ КА508А-1, ТР3.360.128 ТУ.
• Iпр макс, А - Максимальный прямой ток
• Uобр и макс, В - Максимальное импульсное обратное напряжение
• Iпр и макс, А - Максимальный импульсный прямой ток
• Uпр макс, В - Постоянное прямое напряжение
• fд макс, кГц - Максимальная рабочая частота
• Сд, пФ - Общая ёмкость
• Ioбp, мкА - Постоянный обратный ток
• Uoбp макс, В - Максимальное постоянное обратное напряжение
• tвoc обр, мкс - Время обратного восстановления
• Ioбp и макс, мА - Импульсный обратный ток
• Pрас, мВт - Непрерывная рассеиваемая мощность
• Мин наработка, ч - Минимальная наработка
• Тип диода - Тип СВЧ диода
• Pрас и, Вт - Импульсная рассеиваемая мощность
