Описание 3П331А2
Транзисторы полевые арсенидгаллиевые планарные с каналом n-типа и барьером Шоттки
усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 10 ГГц.
Предназначены для применения в широкополосных СВЧ усилителях
с повышенными требованиями к выходной мощности в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 3П331А-2, АП331А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе
с гибкими полосковыми выводами и металлической крышкой.
На ножке наносится условная маркировка черной полоской.
Транзистор 3П331А-5, АП331А-5 выпускается в виде кристаллов с контактными площадками
без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Параметры и характеристики 3П331А2
Масса бескорпусного транзистора не более 0,1 г, кристалла не более 0,0006 г.
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
