2Т385А9

2Т385А9 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в системах памяти ЭВМ герметизированной аппаратуры.

Технические характеристики : 

2Т385А9 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 300 мА.
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА.
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 150.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4 пФ.
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом.