2Т944А предназначен для применения в линейных широкополосных усилителях мощности иа частотах 1,5-30 МГц при напряжении питания 28 В.
 Корпус металлокерамический с жесткими выводами и монтажным винтом. 
 Масса транзистора не более 40 г.
 Тип корпуса: КТ-5 (ТО-63).
 Технические условия: аА0.339.059 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т944А:
  • Структура транзистора: n-p-n;
 • Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 70 Вт;
 • fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 105 МГц;
 • Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,01кОм);
 • Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
 • Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 12,5 А;
 • Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А;
 • Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 80 мА (100В);
 • h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 10... 80;
 • Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 350 пФ;
 • Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ;
 • Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 100 Вт на частоте 30 МГц  
Технические характеристики транзисторов 2Т944А, КТ944А:
| Тип транзистора
 | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max
 | Т max
 | 
|---|
| IК max
 | IК. И. max
 | UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | UПИТ max | РК max | h21Э | UКЭ нас.
 | IКЭR | IЭБО | f гp. | PВЫХ | КУР | 
| А | А | В | В | В | В | Вт |  | В | мА | мА | МГц | Вт | дБ | °С | °С | 
| 2Т944А | n-p-n | 12,5 | 20 | 100 | - | 5 | 28 | 70 | 10…80 | <2,5 | <80 | <150 | >105 | 100 | 10 | 175 | -60…+125 | 
| КТ944А | n-p-n | 12,5 | 20 | 100 | - | 5 | 28 | 70 | 10…80 | <2,5 | <80 | <150 | >105 | 100 | 10 | 175 | -45…+100 | 
  Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
 • IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
 • IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
 • UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
 • UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
 • UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
 • UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю. 
 • UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания. 
 • РК max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
 • РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
 • h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
 • UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
 • IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
 • IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
 • IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
 • f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
 • PВЫХ - выходная мощность транзистора.
 • КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
 • ТП max - максимально допустимая температура перехода.
 • Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.