2Т830Б транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный, предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Технические характеристики :
2Т830Б транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный.
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А.
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (60В).
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25.
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом.
