2Т625АМ-2Н

2Т625АМ-2Н транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.

Технические характеристики : 

2Т625АМ-2Н транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА (60В).
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 120.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 9 пФ.
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,3 Ом.
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 60 пс