3П320Б-2

Описание 3П320Б-2

3П320Б-2 транзистор полевой арсенидгаллиевый планарный с каналом n-типа. Предназначен для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей в составе гибридных интегральных микросхем.

Параметры и характеристики 3П320Б-2

Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 80 мВт;
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток (постоянное): 4 В;
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток (постоянное): 8 В;
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток (постоянное): 5 В;
S - Крутизна характеристики: 5... 16 мА/В;
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: 0,18 пФ;
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: 0,15 пФ;
Ку.р - Коэффициент усиления по мощности: не менее 3 дБ на частоте 8 ГГц;
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 4,5 дБ на частоте 8 ГГц