Описание
Диоды 2Д2998Б кремниевые, эпитаксиально-планарные, с барьером Шотки.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой от 10 до 200 кГц в низковольтных вторичных источниках электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Параметры и характеристики
Масса диода не более 6 г.
• Iпр макс, А - Максимальный прямой ток
• Uобр и макс, В - Максимальное импульсное обратное напряжение
• Iпр и макс, А - Максимальный импульсный прямой ток
• Uпр макс, В - Постоянное прямое напряжение
• fд макс, кГц - Максимальная рабочая частота
• Ioбp макс, мкА - Постоянный обратный ток
• Uoбp макс, В - Максимальное постоянное обратное напряжение
• Iпр ср макс, А - Максимально допустимый средний прямой ток
• Uобр и п макс, В - Максимально допустимое импульсное повторяющееся обратное напряжение
• Tпер макс,°C - Максимальная температура перехода
• T, °C - Температура окружающей среды
