КД503Б диод

Описание диода КД503Б

Диод КД503Б применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, cлужит для коммутации высокочастотных сигналов.

Характеристики диода КД503Б

Диоды КД503Б кремниевые, эпитаксиальные, импульсные.
Предназначены для применения в качестве переключающих элементов в импульсных быстродействующих устройствах наносекундного диапазона.
Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Масса диода не более 0,3 г.

Основные технические характеристики диода КД503Б:
• uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 30 В;
• inp max - Максимальный прямой ток: 20 мА;
• fд - Рабочая частота диода: 350 мГц;
• unp - Постоянное прямое напряжение: не более 1 В при inp 10 мА;
• ioбp - Постоянный обратный ток: не более 10 мкА при uoбp 30 В;
• tвoc обр - Время обратного восстановления: 0,01 мкс;
• Сд - Общая емкость: 2,5 пФ

Условное обозначение диодов:

Обозначения состоят из четырех элементов:
Первый элемент- буква или цифра - обозначает материал:
1 или Г - германий или его соединения,
2 или К - кремний или его соединения,
3 или А - арсенид галлия или другие соединения галлия.
Второй элемент - буква - указывающая подкласс прибора:
Д - диоды, Ц - выпрямительные столбы и блоки,
А - сверхвысокочастотные диоды,
В - варикапы,
И - диоды туннельные и обращенные,
С - стабилитроны и стабисторы,
Л - излучатели.
Третий элемент - число - указывающее назначение и качественные свойства прибора, а также порядковый номер разработки.


Варианты поиска:
КД503Б диод, диод КД503Б, купить диод КД503Б по низкой цене, КД503Б