2Д502Б диод

2Д502Б диод

Характеристики

0.3
1
не более 5
30
0.5
не более 2.5
20
-60...+85
Импульсный
48Q0V6P3K

Описание

Описание диода 2Д502Б


Диод 2Д502Б - это двухэлектродный электровакуумный, полупроводниковый или газоразрядный прибор. Проводимость односторонняя.

Диоды 2Д502Б применяются в электронике для преобразования частоты, переключения электрических цепей и для исполнения некоторых других функций.

Диоды кремниевые микросплавные.

Выпускаются в металлостеклянном малогабаритном корпусе. Тип диода указывается на упаковке. С отрицательным электродом диода соединен приваренный вывод.

Масса диода не более 0,05 г.


Параметры и характеристики диода 2Д502Б:


Электрические параметры

Постоянное прямое напряжение для 2Д502А, 2Д502В при Iпр = 10 мА и 2Д502Б, 2Д502Г при Iпр = 50 мА, не более — 1,0 В

Импульсное прямое напряжение при Iпр,и = 50 мА, не более:

2Д502А, 2Д502В — 3,5 В
2Д502Б, 2Д502Г — 2,5 В
Постоянный обратный ток при Uобр = Uобр,макс, не более:

от 213 до 298 К — 5 мкА

при 358 К

2Д502А, 2Д502Б — 25 мкА
2Д502В, 2Д502Г — 40 мкА
Время восстановления обратного сопротивления при Uобр = 30 В, Iпр = 30 мА, не более — 0,5 мкс

Предельные эксплуатационные данные

Обратное напряжение:

2Д502А, 2Д502Б — 30 В
2Д502В, 2Д502Г — 100 В
Средний прямой ток:

от 213 до 298 К — 20 мА
при 358 К — 10 мА
Импульсный прямой ток — 300 мА

Температура окружающей среды — от 213 до 358 К

Примечания:

После монтажа на микроплату диоды заливаются эмалью ЭП-274Т.
Пайка выводов допускается на расстоянии не менее 1 мм от корпуса, температура корпуса при пайке не выше 353 К.
Изгиб выводов диода не допускается.
Платформа АЛЬФА:B2B