2Т963А-2Н

2Т963А-2Н транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный, применяется в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 2...10 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.

Технические характеристики : 

2Т963А-2Н транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рк max - Максимально допустимая рассеиваемая мощность коллектора: 1,1 Вт.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 18 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 1,5 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,21 А.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (18В).
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ.
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3 дБ.
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,8 Вт на частоте 10 ГГц.