КТ937Б-2

КТ937Б-2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях и генераторах в диапазоне частот 0,9...5 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.

Технические характеристики : 

КТ937Б-2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 3,6 Вт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 6500 МГц.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,25 А.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (25В).
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5,5 пФ.
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 1,6 Вт на частоте 5 ГГц.
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,78 пс.