КТ382БМ

КТ382БМ транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 400 МГц. Предназначен для применения во входных и последующих каскадах усилителей высокой и сверхвысокой частот.

Технические характеристики : 

КТ382БМ транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 100 мВт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1800 МГц.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА.
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 40 мА.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА.
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 330.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ.
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 400 МГц.
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс.