3П604В-2

3П604В1-2 — бескорпусные арсенид-галлиевые планарные полевые транзисторы с барьером Шоттки с каналом n-типа СВЧ генерирующий. Транзисторы полупроводниковые полевые используются в радиоэлектронной аппаратуре широкого спектра использования для работы в усиливающих и генерирующих устройствах, автогенераторах, преобразователей частоты, работающих в диапазоне частот до 18GHz. В металлокерамическом корпусе. Рабочая температура эксплуатации от -60 до +125oC. Типономинал указывается цветной точкой на металлическом истоке. Климатическое исполнение УХЛ и транзисторы 2) соответствуют технические условия аА0.339.476 ТУ. Полевой транзистор артикул согласно ГОСТ. 

Характеристики арсенидгаллиевых полевых транзисторов с барьером Шотки и каналом n-типа

Тип полевого транзистора	Р МАКС	f МАКС	Предельные значения параметров при Т=25°С				Значения параметров при Т=25°С										Т ОКР
			UСИ МАКС	UЗС МАКС	UЗИ МАКС	IС МАКС	UЗИ ОТС	RCИ отк	IЗ УТ	S	IС НАЧ	C11И	C12И	PВЫХ	КШ	КУР
	мВт	ГГц	В	В	В	мА	В	Ом	мкА	мА/В	мА	пФ	пФ	мВт	дБ	дБ	°С
3П604А-2	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	20…40	-	-	-	>200	-	>3	-60…+100
3П604Б-2	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	15…40	-	-	-	>125	-	>2,6	-60…+100
3П604В-2	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	10…20	-	-	-	>75	-	>3	-60…+100
3П604Г-2	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	10…20	-	-	-	>50	-	>3	-60…+100
3П604А1-2	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	20…40	-	-	-	>200	-	>2,6	-60…+100
3П604Б1-2	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	15…40	-	-	-	>125	-	>2,6	-60…+100
3П604В1-2	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	10…20	-	-	-	>75	-	>3	-60…+100
3П604Г1-2	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	10…20	-	-	-	>50	-	>3	-60…+100
3П604А-5	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	20…40	-	-	-	>200	-	>3	-60…+100
3П604Б-5	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	15…40	-	-	-	>125	-	>2,6	-60…+100
3П604В-5	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	10…20	-	-	-	>75	-	>3	-60…+100
3П604Г-5	900	18	7	-	-3	-	-	-	<20	10…20	-	-	-	>50	-	>3	-60…+100

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• f МАКС - максимально допустимая рабочая частота полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
• RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора.
• g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
• C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
• PВЫХ - выходная мощность полевого транзистора.
• КШ - коэффициент шума транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• Т ОКР - температура окружающей среды.