КП307А1

КП307А1 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа. Предназначен для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.

Технические характеристики : 

КП307А1 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 250 мВт;
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,5... 3 В;
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 25 В;
Uзс max - Максимальное напряжение затвор-сток: 27 В;
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 27 В;
Iс - Ток стока (постоянный): 25 мА
Iс нач - Начальный ток стока: не более 9 мА;
S - Крутизна характеристики: 4... 9 мА/В (10В);
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 5 пФ;
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 1,5 пФ