Транзисторная сборка 2Т9155А из двух кремниевых n-p-n СВЧ генераторных транзисторов с балластными резисторами в цепи эмиттера.
Предназначена для работы в усилителях мощности в диапазоне частот 150-860 МГц в схеме с общим эмиттером в режиме класса АВ.
Тип прибора указывается на корпусе.
Тип корпуса: КТ-44.
Технические условия: АЕЯР.432150.051 ТУ.
Функциональный аналог: 2SC3217 (NEC), TVU014 (ASI).
Характеристики транзисторной сборки 2Т9155А, 2Т9155Б, 2Т9155В, КТ9155А, КТ9155Б, КТ9155В:
Тип транзисторной сборки | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max |
---|
IК max | IК. И. max | UКЭR max (UКЭ0 max) | UКБ0 max | UЭБ0 max | UПИТ max | РК. СР. max (РК. Т. max) | h21Э | UКЭ нас. | IКЭR | IЭБО | f гp. | PВЫХ | КУР |
А | А | В | В | В | В | Вт | | В | мА | мА | МГц | Вт | дБ | °С | °С |
2Т9155А | n-p-n | 4 | - | - | 50 | 3 | 28 | 43 | >10 | - | <25 | <15 | >460 | >15 | >6,5 | 200 | -60…+125 |
2Т9155Б | n-p-n | 15 | - | - | 50 | 3 | 28 | 100 | >10 | - | <100 | <30 | >450 | >50 | >6 | 200 | -60…+125 |
2Т9155В | n-p-n | 24 | - | - | 50 | 3 | 28 | 181 | >10 | - | <200 | <60 | >360 | >100 | >5 | 200 | -60…+125 |
КТ9155А | n-p-n | 4 | - | - | 50 | 3 | 28 | 43 | >10 | - | <25 | <15 | >460 | >15 | >6,5 | 200 | -60…+125 |
КТ9155Б | n-p-n | 15 | - | - | 50 | 3 | 28 | 100 | >10 | - | <100 | <30 | >450 | >50 | >6 | 200 | -60…+125 |
КТ9155В | n-p-n | 24 | - | - | 50 | 3 | 28 | 181 | >10 | - | <200 | <60 | >360 | >100 | >5 | 200 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторной сборки:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.