2Т629АМ2Н транзистор

Описание 2Т629АМ2Н

2Т629АМ2Н транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный,применяется в быстродействующих импульсных устройствах в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные, на керамическом кристаллодержателе 2Т629А-2,
КТ629А-2, КТ629Б-2 и металлическом кристаллодержателе КТ629АМ-2, КТ629БМ-2 с защитным покрытием с гибкими выводами.

Параметры и характеристики 2Т629АМ2Н

Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 5 мкА (50В).
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25... 80.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ.
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом.
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 90 пс.