2ПС202Г-1

Описание 2ПС202Г-1.

2ПС202Г-1 транзисторная сборка состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионнолегированных полевых с затвором на основе p-n перехода с каналом n-типа транзисторов, применяется в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
Сдвоенные (вариант 1) и одинарные (вариант 2) транзисторы упаковываются в сопроводительную тару,
позволяющую без извлечения из нее производить измерение электрических параметров транзисторов.
Сдвоенные транзисторы выпускаются также без кристаллодержателя в виде двух одинаковых транзисторов,
подобранные по основным электрическим параметрам.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Масса сдвоенного транзистора не более 0,5 г, одиночного 0,2 г.
Технические условия: ТФ0.336.010ТУ/Д3.

Параметры и характеристики 2ПС202Г-1.

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток