2Т818ГМ

2Т818ГМ транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный структуры p-n-p переключательный, предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Технические характеристики : 

2Т818ГМ транзистор кремниевый мезаэпитаксиально-планарный.
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 100 Вт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 15 А.
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 А.
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1000 пФ.
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,27 Ом.