2Т657А

2Т657А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный, применяется в генераторах и усилителях в диапазоне частот до 2 ГГц в схеме с общим эмиттером в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.

Технические характеристики : 

Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 375 мВт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 ГГц.
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 12 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (12В).
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не нормируется.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ.
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,05 Вт на частоте 2 ГГц.