2Т942В

2Т942В транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. Предназначен для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.

Технические характеристики : 

2Т942В транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 22 Вт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1950 МГц.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А.
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 20 мА (45В).
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ.
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2,5 дБ.
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 8 Вт на частоте 2 ГГц.
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 3,5 пс.