2Т648А-5

2Т648А-5 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный, применяется в схеме с общей базой в усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 1...12 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.

Технические характеристики : 

2Т648А-5 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
 Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 420 мВт.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 18 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (18В).
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ.
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,04 Вт на частоте 12 ГГц.