2Т9111Б

2Т9111Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный, применяется в линейных широкополосных усилителях мощности на частотах 1,5...80 МГц при напряжении питания 50 В.

Технические характеристики : 

2Т9111Б транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 200 Вт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 300 МГц.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 150 пФ.
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 10 дБ.
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 150 Вт на частоте 80 МГц.