2ТС393А

2ТС393А транзисторные сборки состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры p-n-p усилительных транзисторов на одном кристалле с раздельными выводами,  применяются в широкополосных балансных, дифференциальных и операционных усилителях и других каскадах герметизированной аппаратуры, в которых требуется идентичность параметров двух транзисторов.

Технические характеристики : 

2ТС393А транзисторные сборки.
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 20 мВт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 10 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора:  10 мА.
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 20 мА.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0.1 мкА (10В).
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 180.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ.
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 60 Ом.
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 60 МГц.
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 80 пс.