2Т921А-4

2Т921А-4 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный линейный. Предназначен для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения.

Технические характеристики : 

2Т921А-4 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 12,5 Вт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 90 МГц.
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 65 В (0,1кОм).
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3,5 А.
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 10 мА (70В).
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 10.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ.
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 8 дБ.
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 12,5 Вт на частоте 60 МГц.
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 22 пс.