Описание

2Т682А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц, применяется в малошумящих усилителях с расширенным динамическим диапазоном в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.

Технические характеристики : 

2Т682А транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер.
Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора.
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером.
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора.
Uси - Напряжение сток-исток.
Iси max - Максимальное напряжение сток-исток.
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток.
Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток.