2Т665А91

2Т665А91 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n универсальный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах.

Технические характеристики : 

2Т665А91 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт.
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 мГц.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (100В).
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 250.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ.
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом.