2Т642В1-2

2Т642В1-2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный. применяется в усилителях и генераторах в диапазоне частот 1...8,15 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.

Технические характеристики : 

2Т642В1-2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (20В).
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,1 пФ.
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 8 ГГц.