2П769Г

Технические характеристики мощных n-канальных МОП-транзисторов
2П769:

Тип полевого транзистора	Р МАКС	Предельные значения параметров при Т=25°С				Значения параметров при Т=25°С					Т ОКР	Корпус	Аналог	ТУ
		UСИ МАКС	UЗС МАКС	UЗИ МАКС	IС МАКС	UЗИ ПОР	RСИ отк	IЗ УТ	S	IС НАЧ
	Вт	В	В	В	А	В	Ом	нА	А/В	мА	°С
2П769А	50	100	-	±20	8,5	1,5	0,27	-	>2,4	25	+150	КТ-28-2	IRF520	АЕЯР.432140.220ТУ
2П769В	100	100	-	±20	25	1,5	0,077	-	>7,7	25	+150	КТ-28-2	IRF540	АЕЯР.432140.220ТУ
2П769Г	50	100	-	±20	8,5	1,5	0,27	-	>2,4	25	+150	КТ-28-2	-	АЕЯР.432140.220ТУ
2П769Д	100	100	-	±20	25	1,5	0,052	-	>7,8	25	+150	КТ-28-2	-	АЕЯР.432140.220ТУ
2П769Е	100	100	-	±20	30	2	0,039	-	>14	25	+150	КТ-28-2	-	АЕЯР.432140.220ТУ
2П769А9	42	100	-	±20	7	1,5	0,27	-	>1,6	25	+150	КТ-89	IRFR120	АЕЯР.432140.220ТУ
2П769В91	100	100	-	±20	25	1,5	0,077	-	>7,8	25	+150	КТ-90	IRF540S	АЕЯР.432140.220ТУ
2П769Д91	100	100	-	±20	25	1,5	0,052	-	>7,8	25	+150	КТ-90	-	АЕЯР.432140.220ТУ
2П769Е91	100	100	-	±20	30	2	0,039	-	-	25	+150	КТ-90	-	АЕЯР.432140.220ТУ
2П769В92	100	100	-	±20	25	1,5	0,077	-	>7,8	25	+150	КТ-94	IRFN140	АЕЯР.432140.273ТУ
2П769Д92	100	100	-	±20	25	1,5	0,052	-	>7,8	25	+150	КТ-94	-	АЕЯР.432140.273ТУ
2П769В1	100	100	-	±20	25	1,5	0,077	-	>7,8	25	+150	КТ-9С	IRF140	АЕЯР.432140.273ТУ
2П769Д1	100	100	-	±20	25	1,5	0,052	-	>7,8	25	+150	КТ-9С	-	АЕЯР.432140.273ТУ
2П769В2	75	100	-	±20	14	1,5	0,077	-	>7,8	25	+150	КТ-28А-2.02	IRFY140C	АЕЯР.432140.273ТУ
2П769Д2	75	100	-	±20	25	1,5	0,052	-	>7,8	25	+150	КТ-28А-2.02	-	АЕЯР.432140.273ТУ

Условные обозначения электрических параметров полевых транзисторов:
• Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
• UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
• UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
• UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
• IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
• UЗИ ПОР - пороговое напряжение полевого транзистора.
• RСИ отк - сопротивление сток-исток в открытом состоянии полевого транзистора. Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии транзистора при заданном напряжении сток-исток, меньшем напряжения насыщения.
• IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
• S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
• IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
• Т ОКР - температура окружающей среды.