2Т630В-2Н транзистор

Описание 2Т630В-2Н

2Т630В-2Н транзистор кремниевый планарный структуры n-p-n универсальный, применяется в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.

Параметры и характеристики 2Т630В-2Н

Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт;
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц.
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В.
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В.
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА.
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2000 мА.
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (90В).
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 120.
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ.
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом.