Описание
Транзисторы 2Т934В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.
Параметры и характеристики
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
Технические характеристики транзисторов 2Т934А, 2Т934Б, 2Т934В:
Тип транзистора | Структура | Предельные значения параметров при Тп=25°С | Значения параметров при Тп=25°С | TП max | Т max |
---|
IК max | IК. И. max | UКЭR max | UКБ0 max | UЭБ0 max | UПИТ max | РК. СР. max | h21Э | UКЭ нас. | IКЭR | IЭБО | f гp. | PВЫХ | КУР |
А | А | В | В | В | В | Вт | | В | мА | мА | ГГц | Вт | дБ | °С | °С |
2Т934А | n-p-n | 0,5 | - | 60 | - | 4 | 28 | 7,5 | 5…150 | <0,2 | <5 | <5 | >0,5 | >3 | >6 | 160 | -60…+125 |
2Т934Б | n-p-n | 1 | - | 60 | - | 4 | 28 | 15 | 5…150 | <0,16 | <10 | <5 | >0,5 | >12 | >4 | 160 | -60…+125 |
2Т934В | n-p-n | 2 | - | 60 | - | 4 | 28 | 30 | 5…150 | <0,12 | <20 | <5 | >0,5 | >25 | >3 | 160 | -60…+125 |
Условные обозначения электрических параметров транзисторов:
• IК max - максимально допустимый постоянный ток коллектора транзистора.
• IК. И. max - максимально допустимый импульсный ток коллектора транзистора.
• UКЭR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер.
• UКЭ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при токе базы, равном нулю.
• UКБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-база при токе эмиттера, равном нулю.
• UЭБ0 max - максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю.
• UПИТ max - максимально допустимое напряжение питания.
• РК.СР. max - максимально допустимая средняя мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора.
• РК. Т. max - максимально допустимая постоянная мощность, рассеивающаяся на коллекторе транзистора с теплоотводом.
• h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора.
• UКЭ нас. - напряжение насыщения между коллектором и эмиттером транзистора.
• IКЭR - обратный ток коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база- эмиттер.
• IКБО- обратный ток коллектора. Ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера.
• IЭБО- обратный ток эмиттера. Ток через эмиттерный переход при заданном обратном напряжении эмиттер-база и разомкнутом выводе коллектора.
• f гр - граничная частота коэффициента передачи тока.
• PВЫХ - выходная мощность транзистора.
• КУР - коэффициент усиления по мощности транзистора.
• ТП max - максимально допустимая температура перехода.
• Т max - максимально допустимая температура окружающей среды.