2Т504Б

Описание

Транзисторы 2Т504Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами и в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов, разделенные или неразделенные (на общей пластине).
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,002 г.

Параметры и характеристики 2Т504Б

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток

Технические характеристики транзисторов 2Т504А, 2Т504Б, 2Т504В:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С						Значения параметров при Тп=25°С								TП max	Т max
		IК max	IК. И. max	UКЭR max (UКЭ0 max)	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max (РК. Т. max)	h21Э	UКЭ нас.	IКБО	IЭБО	f гp.	КШ	СК	СЭ
		А	А	В	В	В	Вт		В	мкА	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
2Т504А	n-p-n	1	2	350	400	6	1 (10)	>15	1	100	100	20	-	30	300	125	-60…+125
2Т504Б	n-p-n	1	2	200	250	6	1 (10)	>15	1	100	100	20	-	30	300	125	-60…+125
2Т504В	n-p-n	1	2	275	300	6	1 (10)	>15	1	100	100	20	-	30	300	125	-60…+125