2Т368Б

Описание

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на металлическом корпусе.
Транзисторы в пластмассовом корпусе маркируются условным кодом:
   КТ368АМ - двумя точками,
   КТ368БМ - одной точкой.
Тип прибора в миниатюрном пластмассовом корпусе и в виде кристалла указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 1 г,

Параметры и характеристики

• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток

Технические характеристики транзисторов 2Т368А, 2Т368Б:

Тип транзистора	Структура	Предельные значения параметров при Тп=25°С	Значения параметров при Тп=25°С	TП max	Т max
IК max	IК. И. max	UКЭR max	UКБ0 max	UЭБ0 max	РК max	h21э	UКЭ нас.	IКБО	f гp.	КШ	СК	СЭ
мА	мА	В	В	В	мВт		В	мкА	МГц	дБ	пФ	пФ	°С	°С
2Т368А	n-p-n	30	60	15	15	4	225	50...300	-	0,5	900	3,3	1,7	3	150	-60…+125
2Т368Б	n-p-n	30	60	15	15	4	225	50...300	-	0,5	900	-	1,7	3	150	-60…+125