Описание товара
Описание
Транзисторы 2Т836Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях мощности, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, в виде неразделенных кристаллов на пластине с контактными площадками для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Параметры и характеристики
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,0058 г.
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
Условия поставки
Минимальная сумма для заказа - от 2000 рублей. Если же у Вас заказ состоит из нескольких позиций,то минимальная сумма каждой позиции должна быть не меньше 500 рублей. Выдача заказов в Москве происходит каждую субботу на Митинском радиорынке. В другие дни выдача заказов со склада в г.Сарапул или же отгрузка ТК Деловые Лини или СДЭК или др. транспортной компанией из г.Ижевск.
В корзину
Купить в 1 клик
Рассчитать доставку
В корзину
Сравнение
В избранное
Под заказ
