Описание
Диоды 2Д2999Б кремниевые, эпитаксиально-диффузионные.
Предназначены для преобразования переменного напряжения частотой до 100 кГц.
Выпускаются в металлопластмассовом корпусе с гибкими выводами (металлическое основание корпуса соединено с отрицательным электродом).
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на корпусе.
Технические условия: аА0.339.422 ТУ.
Параметры и характеристики
Масса диода не более 4 г.
• Iпр макс, А - Максимальный прямой ток
• Uобр и макс, В - Максимальное импульсное обратное напряжение
• Iпр и макс, А - Максимальный импульсный прямой ток
• Uпр макс, В - Постоянное прямое напряжение
• fд макс, кГц - Максимальная рабочая частота
• Ioбp макс, мкА - Постоянный обратный ток
• Uoбp макс, В - Максимальное постоянное обратное напряжение
• Iпр ср макс, А - Максимально допустимый средний прямой ток
• Uобр и п макс, В - Максимально допустимое импульсное повторяющееся обратное напряжение
• Tпер макс,°C - Максимальная температура перехода
• T, °C - Температура окружающей среды
