2А506Е диод

Описание

Диоды 2А506Е кремниевые, сплавные, переключательные. 
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа n-i-p-i-n. 
Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, фазовращателях, аттенюаторах сантиметрового диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления. 
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими выводами. 
Тип диода приводится на корпусе диода. 
Положительный вывод - гибкий. 

Параметры и характеристики

Масса диода не более 2,5 г для 2А506А, 2А506Б, 2А506В, 2А506Г и 2,0 г для 2А506Д.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А506А, ТР3.360.066 ТУ.

• Iпр макс, А - Максимальный прямой ток
• Uобр и макс, В - Максимальное импульсное обратное напряжение
• Iпр и макс, А - Максимальный импульсный прямой ток
• Uпр макс, В - Постоянное прямое напряжение
• fд макс, кГц - Максимальная рабочая частота
• Сд, пФ - Общая ёмкость
• Ioбp, мкА - Постоянный обратный ток
• Uoбp макс, В - Максимальное постоянное обратное напряжение
• tвoc обр, мкс - Время обратного восстановления
• Ioбp и макс, мА - Импульсный обратный ток
• Pрас, мВт - Непрерывная рассеиваемая мощность
• Мин наработка, ч - Минимальная наработка
• Тип диода - Тип СВЧ диода
• Pрас и, Вт - Импульсная рассеиваемая мощность