КА509Б диод СВЧ кремниевый эпитаксиальный, переключательный. Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n. Предназначен для применения в переключающих устройствах.
Технические характеристики :
КА509Б диод СВЧ кремниевый эпитаксиальный.
Общая емкость: 0,9...1,2 пФ.
Прямое сопротивление потерь: не более 1,5 Ом.
Критическая частота: 150...350 ГГц.
Накопленный заряд диода: не более 25 нКл.
Пробивное напряжение: 200...600 В.
Емкость корпуса: 0,3...0,45 пФ.
Индуктивность диода: 0,5 нГн.
Постоянное обратное напряжение: 150 В.
Мгновенное обратное напряжение: 175 В.
Постоянный прямой ток: 100 мА.
Значение допустимого статического потенциала: 1000 В.
Непрерывная рассеиваемая мощность: 2 Вт.
Импульсная рассеиваемая мощность: 1,4 кВт.
Температура окружающей среды: -60...+100°С.
Минимальная наработка: 25000 ч.
Срок сохраняемости: 25 лет.
