3А530Б диод СВЧ арсенидогаллиевый, эпитаксиальный, с барьером Шотки, импульсный. Предназначен для преобразования импульсных сигналов пико и наносекундного диапазонов.
Технические характеристики :
3А530Б диод СВЧ арсенидогаллиевый, эпитаксиальный.
Масса диода не более 0,2 г.
Iпр макс, А - Максимальный прямой ток.
Uобр и макс, В - Максимальное импульсное обратное напряжение.
Iпр и макс, А - Максимальный импульсный прямой ток.
Uпр макс, В - Постоянное прямое напряжение.
fд макс, кГц - Максимальная рабочая частота.
Сд, пФ - Общая ёмкость.
Ioбp, мкА - Постоянный обратный ток
Uoбp макс, В - Максимальное постоянное обратное напряжение
tвoc обр, мкс - Время обратного восстановления.
Ioбp и макс, мА - Импульсный обратный ток.
Pрас, мВт - Непрерывная рассеиваемая мощность.
Мин наработка, ч - Минимальная наработка.
Тип диода - Тип СВЧ диода.
Pрас и, Вт - Импульсная рассеиваемая мощность.
