Описание

3А529А диод арсенидогаллиевый, эпитаксиальный, с барьером Шотки, СВЧ, импульсный, одиночный 3А529А, 3А529Б и подобранный в пары 3А529АР, 3А529БР. Предназначен для преобразования импульсных сигналов пико- и наносекундного диапазонов.

Технические характеристики : 

3А529А диод арсенидогаллиевый, эпитаксиальный.
Постоянное прямое напряжение: не более 1,2 В.
Постоянный обратный ток: не более 50 мкА.
Общая емкость: 0,4 пФ.
Дифференциальное сопротивление: не более 70 Ом.
Постоянное обратное напряжение: 5 В.
Средний прямой ток: не более 2 мА.
Импульсный прямой ток: не более 5 мА.
Импульсная рассеиваемая мощность: 0,5 мВт.
Температура окружающей среды: -60...+85 °С.