3А117А-6Н диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный, с барьером Шоттки, смесительный. Предназначен для применения в преобразователях частоты дециметрового диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем и микросборок.
Технические характеристики :
3А117А-6Н диод кремниевый, планарно-эпитаксиальный.
Рабочая частота: 0,75...1 ГГц;
Потери преобразования: не более 5,8 дБ;
Выпрямленный ток: 1,2...3 мА;
Нормированный коэффициент шума: 5,2...6 дБ.
Коэффициент стоячей волны по напряжению: не более 1,05...2.
Выходное сопротивление: 220...480 Ом.
Непрерывная рассеиваемая мощность: 25 мВт.
Импульсная рассеиваемая мощность: 100 мВт.
Энергия выгорания: 10 эрг.
Температура окружающей среды: -60...+125°С.
Минимальная наработка: 25000 ч.
Срок сохраняемости: 25 лет.
