3А755Р диод

Описание

СВЧ диоды 3А755Р полупроводниковые арсенидогаллиевые генераторные на эффекте Ганна.
Предназначены для работы в качестве активного элемента в генераторах сантиметрового диапазона длин волн,
а также в качестве усилителей в радиоэлектронной аппаратуре.
Полярность - катодный вывод на корпусе (кристаллодержателе) диода.

Тип корпуса: КД-109.
Технические условия: аА0.339.677 ТУ.

Параметры и характеристики

Масса диода не более 0,15 г.

• Iпр макс, А - Максимальный прямой ток
• Uобр и макс, В - Максимальное импульсное обратное напряжение
• Iпр и макс, А - Максимальный импульсный прямой ток
• Uпр макс, В - Постоянное прямое напряжение
• fд макс, кГц - Максимальная рабочая частота
• Сд, пФ - Общая ёмкость
• Ioбp, мкА - Постоянный обратный ток
• Uoбp макс, В - Максимальное постоянное обратное напряжение
• tвoc обр, мкс - Время обратного восстановления
• Ioбp и макс, мА - Импульсный обратный ток
• Pрас, мВт - Непрерывная рассеиваемая мощность
• Мин наработка, ч - Минимальная наработка
• Тип диода - Тип СВЧ диода
• Pрас и, Вт - Импульсная рассеиваемая мощность