КД269Б диод кремниевый эпитаксиальный с барьером Шоттки. Предназначены для применения в импульсных источниках питания, конверторах, устройствах заряда батарей и т. п.
Технические характеристики :
КД269Б диод кремниевый эпитаксиальный.
Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение: 25 В.
Inp max - Максимальный прямой ток: 5 А.
Inp и max - Максимальный импульсный прямой ток: 450 А.
Unp - Постоянное прямое напряжение: не более 0,65 В при Inp 5 А.
Ioбp - Постоянный обратный ток: не более 1000 мкА при Uoбp 25 В.
