Описание

2Д910В-1 Диодные матрицы, состоящие из одного (2Д910А-1, КД910А-1), двух (2Д910Б-1, КД910Б-1), трех (2Д910В-1, КД910В-1) кремниевых, планарных диодов, с общим анодом.
Предназначены для применения в герметизированной аппаратуре в схемах диодно-транзисторной логики (в формирователях, ограничителях, детекторах сигналов, модуляторах и демодуляторах, шифраторах и дешифраторах).

Технические характеристики : 

2Д910В-1 Диодные матрицы.
Uoбp max - Максимальное постоянное обратное напряжение.
Uобр имп max - Максимальное импульсное обратное напряжение.
Inp max - Максимальный (средний) прямой ток.
Inp имп max - Максимальный импульсный прямой ток.
Uпр/Iпр - Постоянное прямое напряжение (Uпр) на диоде при заданном прямом токе (Iпр) через него.
Iобр- Обратный ток диода при предельном обратном напряжении.
fд max - Максимальная рабочая частота диода.
tвoc обр - Время обратного восстановления.
Сд - Общая емкость диода.
Т - температура окружающей среды.