+7 (912)-751-33-24Заказать звонок
Заказать звонок

Оставьте Ваше сообщение и контактные данные и наши специалисты свяжутся с Вами в ближайшее рабочее время для решения Вашего вопроса.

Ваш телефон
Ваш телефон*
Ваше имя
Ваше имя

* - Поля, обязательные для заполнения

Сообщение отправлено
Ваше сообщение успешно отправлено. В ближайшее время с Вами свяжется наш специалист
Закрыть окно
Пн-Пт: 9:00 до 18:00
Каталог товаров
Подписка на новости магазина

Подпишитесь на рассылку и получайте свежие новости и акции нашего магазина.

Описание товара:

КП771Б транзистор кремниевый полевой эпитаксиально-планарный с каналом n-типа переключательный. применяется в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.
53 руб. / шт Цена не является конечной и требует уточнения у менеджера.
Загрузка
Рассчитываем стоимость доставки
Пожалуйста подождите, рассчет займет немного времени

Описание товара

КП771Б транзистор кремниевый полевой эпитаксиально-планарный с каналом n-типа переключательный. применяется в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями.

Технические характеристики : 

КП771Б транзистор кремниевый полевой эпитаксиально-планарный.
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
КШ - коэффициент шума транзистора.
Т ОКР - температура окружающей среды.
Добавить отзыв
Ваша оценка:
Отправить отзыв

Похожие товары (8)

53 руб. / шт Цена не является конечной и требует уточнения у менеджера.
КП771Б
Задать вопрос

Ваше имя*
Контактный телефон*
E-mail
Вопрос*

* - Поля, обязательные для заполнения

Сообщение отправлено
Ваше сообщение успешно отправлено. В ближайшее время с Вами свяжется наш специалист
Закрыть окно
Купить в один клик
Заполните данные для заказа
Запросить стоимость товара
Заполните данные для запроса цены
Запросить цену Запросить цену