Наименование параметра

Буквенное обозначение

Значение параметра для симметричных тиристоров типов

Условия установления норм на параметры

ТС261-160

ТС261-200

ТС271-250

ТС271-320

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В, для классов:
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14

U_DRM

300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400

T_jmin£ T_j£ T_jm
Форма импульса напряжения – однополупериодная синусоидальная
t_i =10 мс
f =50 Гц
Цепь управления разомкнута

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В

U_DSM

1,12U_DRM

T_jmin£ T_j£ T_jm
Форма импульса напряжения – однополупериодная синусоидальная
t_i =10 мс
Одиночный импульс

Постоянное напряжение в закрытом состоянии, В

U_D

0,75U_DRМ

T_jmin£ T_j£ Т_jm

Действующий ток в открытом состоянии, А

I_TRMS

160

200

250

320

T_c=85° C
Форма импульса тока – синусоидальная
q =180° эл.,
f=50 Гц

Ударный ток в открытом состоянии, А

I_TSM

2200

3300

3600

T_j =25° C
T_j =T_jm
Форма импульса тока – однополупериодная синусоидальная
t_i =20 мс
Одиночный импульс

2000

3000

3300

2600

4000

4400

T_j =25° C
T_j =T_jm
Форма импульса тока – однополупериодная синусоидальная
t_i =10 мс
Одиночный импульс

2400

3600

4000

Критическая скорость нарастания тока
в открытом состоянии, А/мкс

(di_Т/dt)_сrit

25

T_j=T_jm
U_D=0,67U_DRM
I_T=2I_TRMS
f=1–5 Гц
Продолжительность воздействия 10 с.
Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная;
U_хx= 20 В;
длительность фронта импульса £ 1 мкс;
длительность импульса ³ 50 мкс
Сопротивление источника управления (5±1) Ом

Средняя рассеиваемая мощность управления, Вт

Р_G(АV)

См. рис.

–

Температура хранения, ° С:
максимально допустимая
минимально допустимая

T_stgm
Т_stgmin

50
–60

Температура перехода, ° С:
максимально допустимая
минимально допустимая

T_j
Т_jmin

125
–60

Крутящий момент, Н·м

М_d

20–32

25–35