Наименование параметра

Буквенное обозначение

Значение параметра для тиристоров типов

Условия установления норм на параметры

Т123-200

Т123-250

Т123-320

Т133-320

Т133-400

Повторяющееся импульсное напряжение
в закрытом состоянии и повторяющееся
импульсное обратное напряжение, В, для классов:
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
18
20
22
24

U_DRM
U_RRМ

400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600

400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600

400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600

900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1800
2000
2200
2400

400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600

T_{jmin £} T_j £ T_jm
Импульсы напряжения синусоидальные однополупериодные,
t_i=5-10 мс, f=50 Гц
Цепь управления разомкнута

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В, для классов:
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
18
20
22
24

U_DSM
U_RSМ

450
560
670
785
900
1000
1120
1230
1340
1460
1570
1680
1800

450
560
670
785
900
1000
1120
1230
1340
1460
1570
1680
1800

450
560
670
785
900
1000
1120
1230
1340
1460
1570
1680
1800

1000
1120
1230
1340
1460
1570
1680
1800
1900
2100
2300
2500

450
560
670
785
900
1000
1120
1230
1340
1460
1570
1680
1800

T_jmin£ T_j £ T_jm
Импульс напряжения синусоидальный
однополупериодный одиночный, t_i=5-10 мс
Цепь управления разомкнута

Рабочее импульсное напряжение в закрытом состоянии и рабочее импульсное обратное напряжение, В

U_DWM
U_RWМ

0,8U_DRM
0,8U_RRМ

T_jmin£ T_j £ T_jm
Импульсы напряжения синусоидальные однополупериодные, t_i=10 мс, f=50 Гц

Постоянное напряжение в закрытом состоянии и постоянное обратное напряжение, В

U_D
U_R

0,75U_DRM
0,75U_RRМ

T_jmin£ T_j £ T_jm

Средний ток в открытом состоянии, А,
при температуре корпуса, ° С

I_TAV
Т_с

200
95

250
92

320
90

320
98

400
93

Импульсы тока синусоидальные однополупериодные, t_i=10 мс, f=50 Гц

Действующий ток в открытом состоянии, А

I_ТRМS

485

580

670

780

900

f=50 Гц

Ударный ток в открытом состоянии, А

I_ТSМ

4000
4400

4500
5000

5000
5500

7000
7700

8000
8800

T_j=T_jm
T_j=25° C
Импульс тока синусоидальный однополупериодный, одиночный,
t_i=10 мс, U_R=0
Импульсы напряжения источника управления:
форма – трапецеидальная,
U_xx=20 В,
длительность фронта импульса £ 1 мкс,
длительность импульсов ³ 500 мкс, скорость нарастания тока
управления ³ 1 А/мкс
Сопротивление
источника управления (5±1) Ом

Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии, А/мкс

(di_Т/dt)_сrit

200

T_j=T_jm
U_D=0,67U_DRM
I_T=2I_TAV
f=(1-5) Гц, продолжительность
воздействия 10 с
Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная, U_xx=20 В,
длительность фронта импульса £ 1 мкс,
длительность импульсов ³ 500 мкс, скорость нарастания тока
управления ³ 1 А/мкс
Сопротивление источника
управления (5±1) Ом

Импульсная рассеиваемая мощность управления, Вт

Р_GМ

См. рис.

T_j=T_jm

Температура хранения, ° С:
минимально допустимая
максимально допустимая

T_stgmin
Т_stgm

-60
50

–

Температура перехода, ° С:
минимально допустимая
максимально допустимая

T_jmin
Т_jm

-60
125

–

Прижимное усилие, Н

F

5000–7000

9000–11 000