Наименование параметра

Буквенное обозначение

Значение параметра для симметричных тиристоров типов

Условия установления норм на параметры

ТС261-160

ТС261-200

ТС271-250

ТС271-320

Импульсное напряжение в открытом состоянии, не более, В

U_TM

1,7
(1,67)*

1,6
(1,57)*

1,65
(1,61)*

1,5
(1,46)*

T_j =25° C
I_Т =1,41I_ТRМS

Пороговое напряжение, В, не более

U_Т(ТО)

1,15

1

1

0,86

T_j =T_jm

Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм, не более

r_T

2,74

2,25

1,98

1,5

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, мА, не более

I_DRM

15

25

T_j =T_jm
U_D =U_DRМ

Ток включения, мА, не более

I_L

500

T_j =25° C
U_D =12 В
Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная;
U_xx=20 В;
длительность фронта импульса £ 1 мкс;
длительность импульса ³ 50 мкс;
Сопротивление источника управления (5±1) Ом

Ток удержания, мА, не более

I_Н

200

T_j =25° C
U_D =12 В
Цепь управления разомкнута

Отпирающее постоянное напряжение управления, В, не более

U_GT

8,5
4
3,5

T_j =T_jmin
T_j =25° C
T_j =T_jm
U_D =12 В
Сопротивление цепи тока в открытом состоянии £ 10 Ом

Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не более

U_GD

0,25

T_j =T_jm
U_D =0,67U_DRM
Напряжение источника управления – постоянное

Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более

I_GT

800
300
250

T_j =T_jmin
T_j =25° C
T_j =T_jm
U_D =12 В
Сопротивление цепи тока в открытом состоянии £ 10 Ом

Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не более

I_GD

5

T_j =T_jm
U_D =0,67U_DRM
Напряжение источника управления – постоянное

Максимально допустимый импульсный ток управления, А

I_GMm

12

T_j =T_jm
U_D =U_DRM
di_G/dt=2 А/мкс
t_G =50 мкс

Время включения, мкс, не более

t_gt

20

T_j =25° C
U_D =100 В
I_T =I_TRMS
Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная;
U_xx=20 В;
длительность фронта импульса £ 1 мкс;
длительность импульса ³ 50 мкс.
Сопротивление источника управления (5±1) Ом

Время задержки, мкс, не боле

t_gd

10

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, для групп:
0
3
4
5
6
7
8

(du_D/dt)_com

1
6,3
10
16
25
50
100

T_j =T_jm
di_T/dt=0,1 А/мкс
U_D=0,67U_DRM
Форма импульса тока в открытом состоянии – однополупериодная синусоидальная, t_i³ 0,5 мс
Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная;
U_xx=20 В;
длительность фронта импульса £ 1 мкс;
длительность импульса ³ 50 мкс.
Сопротивление источника управления (5±1)Ом

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс

(du_D/dt)_crit

20–1000

T_j =T_jm
U_D=0,67U_DRM
Цепь управления разомкнута

Время обратного восстановления, мкс, не более

t_rr

15

20

T_j =125° C
I_T =I_TRMS
U_D =100 В
(di_T/dt)_f = 1 А/мкс

Заряд обратного восстановления, мкКл, не более

Q_rr

50

60

Тепловое сопротивление переход-корпус, ° С/Вт, не более, при проводимости:
двухсторонней
односторонней

R_thjc

0,14
0,2

0,1
0,15

Синусоидальный ток
Постоянный ток

Интенсивность отказов, 1/ч, не более

–

5·10^-6

–

Масса, кг, не более

0,25(0,175)*±0,015

0,44(0,325)*±0,02

* Для симметричных тиристоров без основного вывода.