Предельно допустимые значения характеристик симметричных тиристоров с двуполярным управлением

Наименование параметра

Буквенное обозначение

Значение параметра для симметричных тиристоров типов

Условия установления норм на параметры

ТС261-160

ТС261-200

ТС271-250

ТС271-320

Импульсное напряжение в открытом состоянии, не более, В

UTM

1,7
(1,67)*

1,6
(1,57)*

1,65
(1,61)*

1,5
(1,46)*

Tj =25° C
IТ =1,41IТRМS

Пороговое напряжение, В, не более

UТ(ТО)

1,15

1

1

0,86

Tj =Tjm

Динамическое сопротивление в открытом состоянии, мОм, не более

rT

2,74

2,25

1,98

1,5

Повторяющийся импульсный ток в закрытом состоянии, мА, не более

IDRM

15

25

Tj =Tjm
UD =UDRМ

Ток включения, мА, не более

IL

500

Tj =25° C
UD =12 В
Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная;
Uxx=20 В;
длительность фронта импульса £ 1 мкс;
длительность импульса ³ 50 мкс;
Сопротивление источника управления (5±1) Ом

Ток удержания, мА, не более

IН

200

Tj =25° C
UD =12 В
Цепь управления разомкнута

Отпирающее постоянное напряжение управления, В, не более

UGT

8,5
4
3,5

Tj =Tjmin
Tj =25° C
Tj =Tjm
UD =12 В
Сопротивление цепи тока в открытом состоянии £ 10 Ом

Неотпирающее постоянное напряжение управления, В, не более

UGD

0,25

Tj =Tjm
UD =0,67UDRM
Напряжение источника управления – постоянное

Отпирающий постоянный ток управления, мА, не более

IGT

800
300
250

Tj =Tjmin
Tj =25° C
Tj =Tjm
UD =12 В
Сопротивление цепи тока в открытом состоянии £ 10 Ом

Неотпирающий постоянный ток управления, мА, не более

IGD

5

Tj =Tjm
UD =0,67UDRM
Напряжение источника управления – постоянное

Максимально допустимый импульсный ток управления, А

IGMm

12

Tj =Tjm
UD =UDRM
diG/dt=2 А/мкс
tG =50 мкс

Время включения, мкс, не более

tgt

20

Tj =25° C
UD =100 В
IT =ITRMS
Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная;
Uxx=20 В;
длительность фронта импульса £ 1 мкс;
длительность импульса ³ 50 мкс.
Сопротивление источника управления (5±1) Ом

Время задержки, мкс, не боле

tgd

10

Критическая скорость нарастания коммутационного напряжения, В/мкс, для групп:
0
3
4
5
6
7
8

(duD/dt)com





1
6,3
10
16
25
50
100

Tj =Tjm
diT/dt=0,1 А/мкс
UD=0,67UDRM
Форма импульса тока в открытом состоянии – однополупериодная синусоидальная, ti³ 0,5 мс
Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная;
Uxx=20 В;
длительность фронта импульса £ 1 мкс;
длительность импульса ³ 50 мкс.
Сопротивление источника управления (5±1)Ом

Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии, В/мкс

(duD/dt)crit

20–1000

Tj =Tjm
UD=0,67UDRM
Цепь управления разомкнута

Время обратного восстановления, мкс, не более

trr

15

20

Tj =125° C
IT =ITRMS
UD =100 В
(diT/dt)f = 1 А/мкс

Заряд обратного восстановления, мкКл, не более

Qrr

50

60

Тепловое сопротивление переход-корпус, ° С/Вт, не более, при проводимости:
двухсторонней
односторонней

Rthjc



0,14
0,2



0,1
0,15

Синусоидальный ток
Постоянный ток

Интенсивность отказов, 1/ч, не более

5·10-6

Масса, кг, не более

0,25(0,175)*±0,015

0,44(0,325)*±0,02

* Для симметричных тиристоров без основного вывода.