Предельно допустимые значения параметров симметричных тиристоров с двуполярным управлением

Наименование параметра

Буквенное обозначение

Значение параметра для симметричных тиристоров типов

Условия установления норм на параметры

ТС261-160

ТС261-200

ТС271-250

ТС271-320

Повторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В, для классов:
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14

UDRM




300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400

Tjmin£ Tj£ Tjm
Форма импульса напряжения – однополупериодная синусоидальная
ti =10 мс
f =50 Гц
Цепь управления разомкнута

Неповторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии, В

UDSM

1,12UDRM

Tjmin£ Tj£ Tjm
Форма импульса напряжения – однополупериодная синусоидальная
ti =10 мс
Одиночный импульс

Постоянное напряжение в закрытом состоянии, В

UD

0,75UDRМ

Tjmin£ Tj£ Тjm

Действующий ток в открытом состоянии, А

ITRMS

160

200

250

320

Tc=85° C
Форма импульса тока – синусоидальная
q =180° эл.,
f=50 Гц

Ударный ток в открытом состоянии, А

ITSM

2200

3300

3600

Tj =25° C
Tj =Tjm
Форма импульса тока – однополупериодная синусоидальная
ti =20 мс
Одиночный импульс

2000

3000

3300

2600

4000

4400

Tj =25° C
Tj =Tjm
Форма импульса тока – однополупериодная синусоидальная
ti =10 мс
Одиночный импульс

2400

3600

4000

Критическая скорость нарастания тока
в открытом состоянии, А/мкс

(diТ/dt)сrit

25

Tj=Tjm
UD=0,67UDRM
IT=2ITRMS
f=1–5 Гц
Продолжительность воздействия 10 с.
Импульсы напряжения источника управления: форма – трапецеидальная;
Uхx= 20 В;
длительность фронта импульса £ 1 мкс;
длительность импульса ³ 50 мкс
Сопротивление источника управления (5±1) Ом

Средняя рассеиваемая мощность управления, Вт

РG(АV)

См. рис.

Температура хранения, ° С:
максимально допустимая
минимально допустимая


Tstgm
Тstgmin


50
–60

Температура перехода, ° С:
максимально допустимая
минимально допустимая


Tj
Тjmin


125
–60

Крутящий момент, Н·м

Мd

20–32

25–35