КП201Е транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-р-n усилительный с ненормированным и нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц. Предназначен для применения в усилителях низкой частоты.
Технические характеристики :
КП201Е транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный.
Р МАКС - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность полевого транзистора.
UСИ МАКС - максимально допустимое напряжение сток-исток.
UЗС МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-сток.
UЗИ МАКС - максимально допустимое напряжение затвор-исток.
IС МАКС - максимально допустимый ток стока полевого транзистора.
UЗИ ОТС - напряжение отсечки полевого транзистора. Напряжение между затвором и истоком транзистора с p-n переходом или с изолированным затвором, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения.
g22И - активная составляющая выходной проводимости полевого транзистора в схеме с общим истоком.
IЗ УТ - ток утечки затвора. Ток затвора при заданном напряжении между затвором и остальными выводами, замкнутыми между собой.
S - крутизна характеристики полевого транзистора. Отношение изменения тока стока к изменению напряжения на затворе при коротком замыкании по переменному току на выходе транзистора в схеме с общим истоком.
IС НАЧ - начальный ток стока. Ток стока при напряжении между затвором и истоком, равном нулю, и при напряжении на стоке, равном или превышающем напряжение насыщения.
C11И - входная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и истоком при коротком замыкании по переменному току на выходе с общим истоком.
C12И - проходная ёмкость полевого транзистора. Емкость между затвором и стоком при коротком замыкании по переменному току на входе в схеме с общим истоком.
КШ - коэффициент шума транзистора.
Т ОКР - температура окружающей среды.
